日本东芝公司于日前开发了一种新型NAND闪存芯片,通过使用新的三维堆叠存储芯片技术,并不需要改进进程,就能够在不大幅增加芯片面积的情况下提高存储密度和数据容量,最大单体容量有希望扩大10倍之多。
三维堆叠存储芯片技术,实际上就是在闪存芯片垂直表面进行打孔同时贯穿整个芯片,然后加入硅电极放入其中,通过硅电极周围产生的氮化硅膜进行数据存储。

相对于现在广泛应用的普通NAND闪存技术,新技术虽然能提高芯片存储密度,但却使制造过程更加复杂和耗时更长。但无论如何,我们在不久的将来就可以看到高达几百GB的闪存卡出现了。
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