搜索
论坛
用户:
密码:

游戏频道 - 网游 单机 电视 掌娱
您当前位置:首页 >> 数码相机频道 >> 新闻 >> 正文                           
容量提升十倍 东芝成功开发新NAND闪存
振华网 2007年06月15日 作者:无影 编辑:无影


 日本东芝公司于日前开发了一种新型NAND闪存芯片,通过使用新的三维堆叠存储芯片技术,并不需要改进进程,就能够在不大幅增加芯片面积的情况下提高存储密度和数据容量,最大单体容量有希望扩大10倍之多。

  三维堆叠存储芯片技术,实际上就是在闪存芯片垂直表面进行打孔同时贯穿整个芯片,然后加入硅电极放入其中,通过硅电极周围产生的氮化硅膜进行数据存储。


  相对于现在广泛应用的普通NAND闪存技术,新技术虽然能提高芯片存储密度,但却使制造过程更加复杂和耗时更长。但无论如何,我们在不久的将来就可以看到高达几百GB的闪存卡出现了。

上一条新闻:
下一条新闻:

[收藏文章] [发表评论] [打印文章] [关闭窗口]

更多相关:东芝  

 

相关文章
最新文章
·东芝开发新型3D堆叠NAND闪存
·东芝HD DVD播放器出货量预期下降一半
·猛跌500元,东芝双核M100笔记本优惠促销
·东芝笔记本明年全线HD DVD光驱
·东芝发布首款笔记本HD DVD-RW
·东芝AMD笔记本细节更新
·东芝准备首次采购AMD处理器:便宜
·东芝松下首创OCB LCD:透射反射二合一


      
热门文章
频道最新


      
文章评论(网友评论条)
 
姓名:
最新热图
 

热门图片行情

热门图片新闻

Copyright @ 2001-2006 Zenha.net, All Rights Reserved
版权所有 振华网 苏ICP备05084422号